200v Mosfet καναλιών Ν η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών τοποθετεί IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF N-Channel Mosfet η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 200V 18A (TC) 150W (TC) τοποθετεί D2PAK

; Προηγμένη τεχνολογική διαδικασία;

Δυναμική εκτίμηση dv/dt; 175°C λειτουργούσα θερμοκρασία;

Γρήγορη μετατροπή; Πλήρως χιονοστιβάδα που εκτιμάται;

Ευκολία;

Απλές απαιτήσεις Drive

Περιγραφή

Πέμπτα MOSFETs δύναμης παραγωγής HEXFET® από το διεθνή διορθωτή χρησιμοποιούν τις προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, που συνδυάζεται με τη γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και το δυναμωμένο σχέδιο συσκευών ότι MOSFETs δύναμης HEXFET είναι καλά - γνωστός για, παρέχει στο σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών. Η συσκευασία -220 προτιμάται παγκοσμίως για όλες τις εμπορικός-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διασκεδασμού δύναμης σε περίπου 50 Watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος συσκευασίας των -220 συμβάλλουν στην ευρεία αποδοχή της σε όλη τη βιομηχανία. Το D2Pak είναι μια επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία δύναμης ικανή τα μεγέθη κύβων μέχρι δεκαεξαδικό-4. Παρέχει την ικανότητα υψηλότερης δύναμης και το χαμηλότερο πιθανό onresistance σε οποιαδήποτε υπάρχουσα επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία. Το D2Pak είναι κατάλληλο για τις υψηλής τάσης εφαρμογές λόγω της χαμηλής εσωτερικής αντίστασης σύνδεσής του και μπορεί να διαλύσει μέχρι 2.0W σε μια χαρακτηριστική επιφάνεια τοποθετεί την εφαρμογή. Η έκδοση μέσω-τρυπών (IRF640NL) είναι διαθέσιμη για τη lowprofile εφαρμογή.

Κατασκευαστής	Τεχνολογίες Infineon
Σειρά	HEXFET®
Συσκευασία	Ταινία & εξέλικτρο (TR)
Θέση μερών	Ενεργός
Τύπος FET	N-Channel
Τεχνολογία	MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss)	200V
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C	18A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω)	10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @	4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 25V
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET	-
Διασκεδασμός δύναμης (Max)	150W (TC)
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία	-55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος	Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών	D2PAK
Συσκευασία/περίπτωση	-263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB