Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα /Προϊόντα/Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης/Ενιαίο Mosfet υψηλής τάσης συνεχές ρεύμα SIHB22N60E-E3 ROHS κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Ενιαίο Mosfet υψηλής τάσης συνεχές ρεύμα SIHB22N60E-E3 ROHS κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Ελάχιστη ποσότητα διαταγής: 10 PC
MOQ
negotiate
Τιμή
Ενιαίο Mosfet υψηλής τάσης συνεχές ρεύμα SIHB22N60E-E3 ROHS κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Χαρακτηριστικά Εκθεσιακός χώρος Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα
Χαρακτηριστικά
Προδιαγραφές
Αριθμός μερών κατασκευαστών: SIHB22N60E-E3
Μάρκα: original
Τύπος: ολοκληρωμένο κύκλωμα
Τόπος καταγωγής: Αρχικός κατασκευαστής
Συνεχές ρεύμα: Lastest νέο
Χρονική ανοχή: 1-3Working ημέρες
Υψηλό φως:

Ενιαία Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

,

Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης ROHS

,

Mosfet υψηλής τάσης συνεχές ρεύμα κρυσταλλολυχνιών
Βασικές πληροφορίες
Τόπος καταγωγής: Αρχικό εργοστάσιο
Μάρκα: VISHAY
Πιστοποίηση: ROHS
Αριθμό μοντέλου: SIHB22N60E-E3
Πληρωμής & Αποστολής Όροι
Συσκευασία λεπτομέρειες: Τυποποιημένη συσκευασία
Χρόνος παράδοσης: Μέσα σε 3days
Όροι πληρωμής: T/T εκ των προτέρων, Western Union, Xtransfer
Δυνατότητα προσφοράς: 1000
Περιγραφή προϊόντων

MOSFET ΥΨΗΛΗΣ ΤΆΣΗΣ ΕΝΙΑΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ ΔΎΝΑΜΗΣ SIHB22N60E - ΣΥΣΚΕΥΑΣΊΑ D2PAK E3 600V 21A

 

Τύπος FET: N-channel Λειτουργούσα θερμοκρασία: -55°C ~ 150°C (TJ)
Συσκευασία: TO263-3 D2PAK
Πλήρης φωτισμός:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία καναλιών ν
 

 

 

Mosfet υψηλής τάσης ενιαία κρυσταλλολυχνία δύναμης SIHB22N60E - συσκευασία D2PAK E3 600V 21A

 

MSL 1 ΕΝΙΑΊΑ N-CHANNEL MOSFETS

Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντων

Κατασκευαστής Vishay Siliconix  
Σειρά -  
Συσκευασία Σωλήνας  
Θέση μερών Ενεργός  
Τύπος FET N-Channel  
Τεχνολογία MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)  
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss) 600V  
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C 21A (TC)  
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω) 10V  
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @ 4V @ 250µA  
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (Max) ±30V  
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds 1920pF @ 100V  
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET -  
Διασκεδασμός δύναμης (Max) 227W (TC)  
Λειτουργούσα θερμοκρασία -55°C ~ 150°C (TJ)  
Τοποθετώντας τύπος Η επιφάνεια τοποθετεί  
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών D2PAK  
Συσκευασία/περίπτωση -263-3, Δ ² Pak (2 μόλυβδοι + ετικέττα), -263AB

 

OPA2107AU/2K5 Tj PTH05050WAZ Tj
THCV231-3L/CD Tj TMS320DM8168CCYG2 Tj
THC63LVD1024-1LTN Tj PTH08T231WAD Tj
TMS320F28035PNT Tj TPS65920A2ZCHR Tj
INA126PA Tj LMH0344SQ/NOPB Tj
TPS73533DRBR Tj AD5412AREZ-REEL7 Tj
TPS54319RTER Tj ADS1241E/1K Tj
IC12715001 Tj TL16C552AFNR Tj
Thcv235-φυματίωση Tj PGA204AU/1K Tj
Thcv236-ZY Tj ADS8505IDWR Tj
ADS8326IDGKR Tj TMS320LF2407APGEA Tj
ADS7816U/2K5 Tj AM3703CUSD100 Tj
DAC7558IRHBR Tj TMS320DM8148CCYEA0 Tj
Adsp-21489kswz-4B Tj LMZ23610TZE/NOPB Tj
TPS75801KTTR Tj TPS2115ADRBR Tj
ετικέτα:

Mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

Κρυσταλλολυχνία υψηλής δύναμης

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

Συνιστώμενα προϊόντα
Ελάτε σε επαφή μαζί μας
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Jack
Τηλ.: : +8618098974141
Χαρακτήρες Λοιπά(20/3000)
Ερχομαι σε επαφή
2A2003, που χτίζουν 2, κήπος Baohuju, λεωφόρος 200 Huaqing, Κοινότητα Qinghu, οδός Longhua, περιοχή Longhua, Shenzhen
hegaochen35@gmail.com
+8618098974141
περίπου
Εταιρικό Προφίλ Γύρος εργοστασίων Ποιοτικός έλεγχος επαφή
Προϊόντα
Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτωνΟλοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψηςΟδηγημένο ολοκληρωμένο κύκλωμα οδηγών Όλες οι κατηγορίες
Στείλτε μας μήνυμα
Ενημερώστε μας για τις ανάγκες σας. Θα συνδέσουμε τα καλύτερα προϊόντα μαζί σας.
Sitemap │ Mobile Site │ Πολιτική Απορρήτου
Κίνα καλός Ποιότητα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προμηθευτής. © 2023 - 2024 icscircuit.com. All Rights Reserved.