Το ολοκληρωμένο κύκλωμα οδηγών των χαμηλής ισχύος οδηγήσεων JFET 4,0 MHZ ευρύ εύρος ζώνης υψηλό γυρίζει το ποσοστό

Γρήγορη λεπτομέρεια:

Η μικρή δύναμη, υψηλή γυρίζει το ποσοστό, ευρύ εύρος ζώνης, εισαγμένοι JFET λειτουργικοί ενισχυτές

Περιγραφή:

Η ποιοτική διπολική επεξεργασία με τις καινοτόμες έννοιες σχεδίου υιοθετείται για το MC33181/2/4, σειρά MC34181/2/4 των μονολιθικών λειτουργικών ενισχυτών. Αυτή η σειρά εισαγωγής JFET λειτουργικών ενισχυτών λειτουργεί σε 210 µA ανά ενισχυτή και προσφέρει 4,0 MHZ του προϊόντος εύρους ζώνης κέρδους και 10 V/µs γυρίζουν το ποσοστό. Το ταίριασμα ακρίβειας και μια καινοτόμος τεχνική περιποίησης των ενιαίων και διπλών εκδόσεων παρέχουν τις χαμηλές τάσεις όφσετ εισαγωγής. Με ένα στάδιο εισαγωγής JFET, αυτή η σειρά εκθέτει την υψηλή αντίσταση εισαγωγής, τη χαμηλή τάση όφσετ εισαγωγής και το υψηλό κέρδος. Όλο το στάδιο παραγωγής NPN, που χαρακτηρίζεται από καμία διαστρέβλωση διασταυρώσεων deadband και μεγάλη ταλάντευση τάσης παραγωγής, δίνει την υψηλή ικανότητα κίνησης ικανότητας, τα άριστα περιθώρια φάσης και κέρδους, τη χαμηλή σύνθετη αντίσταση παραγωγής υψηλής συχνότητας ανοικτών βρόχων και τη συμμετρική απάντηση συχνότητας εναλλασσόμενου ρεύματος πηγής/νεροχυτών.

Το MC33181/2/4, σειρά MC34181/2/4 των συσκευών διευκρινίζεται πέρα από τις εμπορικές ή βιομηχανικές/τροχαίες σειρές θερμοκρασίας. Οι πλήρεις σειρές ενιαίων, διπλών και λειτουργικών ενισχυτών τετραγώνων είναι διαθέσιμες στην πλαστική ΕΜΒΥΘΙΣΗ καθώς επίσης και η επιφάνεια SOIC τοποθετεί τις συσκευασίες.

Εφαρμογές:

• Χαμηλό ρεύμα ανεφοδιασμού: 210 µA (ανά ενισχυτή)

• Ευρεία λειτουργούσα σειρά ανεφοδιασμού: ±1.5 Β σε ±18 Β

• Ευρύ εύρος ζώνης: 4,0 MHZ

• Υψηλός γυρίστε το ποσοστό: 10 V/µs

• Η χαμηλή εισαγωγή αντιστάθμισε την τάση: 2.0 MV

• Μεγάλη ταλάντευση τάσης παραγωγής: – 14 Β σε +14 Β (με τις προμήθειες ±15 Β)

• Μεγάλη ικανότητα Drive ικανότητας: 0 pF σε 500 pF

• Χαμηλή συνολική αρμονική διαστρέβλωση: 0,04%

• Άριστο περιθώριο φάσης: 67°

• Άριστο περιθώριο κέρδους: 6,7 DB

• Προστασία βραχυκυκλώματος παραγωγής

• Προσφερθείς στη νέα συσκευασία TSSOP συμπεριλαμβανομένων των τυποποιημένων συσκευασιών SOIC και ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ

Προδιαγραφές: